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J-GLOBAL ID：200902279783329740   整理番号：09A1109066

エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃膜のドメイン構造と電気特性の膜厚依存

著者 (8件)： 宇津木覚 (東京工大) ,  藤澤隆志 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  森岡仁 (東京工大) ,  森岡仁 (ブルカーAXS) ,  石河睦生 (東京工大) ,  山田智明 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 47th  ページ： 458-459  発行年： 2009年01月08日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *蒸着膜 ,  *MOCVD ,  *フッ化カルシウム ,  チタン酸ストロンチウム ,  *基板 ,  *強誘電体 ,  圧電材料 ,  ヘテロエピタクシー ,  依存性 ,  *強誘電分域 ,  薄膜コンデンサ ,  優先配向 ,  微細構造 ,  格子定数 ,  残留分極 ,  抗電場 ,  *ヒステリシス ,  膜厚依存性

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： エピタキシャル ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  ドメイン構造 ,  電気特性 ,  膜厚