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J-GLOBAL ID：200902282052731795   整理番号：04A0248926

エミッタ-ゲート間におけるゲート漏洩電流を減少させるためにゲート電極間に作製されたメサ型エミッタを有するInPのホットエレクトロントランジスタ

InP Hot Electron Transistors with Emitter Mesa Fabricated between Gate Electrodes for Reduction in Emitter-Gate Gate-Leakage Current

著者 (5件)： TAKEUCHI K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MAEDA H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NAKAGAWA R (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 2A  ページ： L183-L186  発行年： 2004年02月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子が真性半導体の領域だけを伝搬するホットエレクトロン型トラ...

シソーラス用語： *リン化インジウム ,...
準シソーラス用語： ホットエレクトロントランジスタ

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• 1) T. Arai, H. Tobita, Y. Harada, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya: Physica E 7 (2000) 896.
• 2) L.-E. Wernersson, R. Yamamoto, E. Lind, I. Pietzonka, W. Seifert, Y. Miyamoto, K. Furuya and L. Samuelson: Inst. Phys. Conf. Ser. 170 (2001) 81.
• 3) K. Takeuchi, R. Yamamoto, H. Maeda, Y. Miyamoto and K. Furuya: <I>2002 Int. Microprocesses & Nanotechnology Conf., 2002</I>, p. 42.
• 4) T. Arai, S. Yamagami, Y. Miyamoto and K. Furuya: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L735.
• 5) T. Arai, H. Tobita, Y. Harada, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya: <I>11th Int. Conf. Indium Phosphide & Related Materials, Davos, Switzerland, 1999</I>, p. 183.

タイトルに関連する用語 (8件)： エミッタ ,  ゲート ,  漏洩電流 ,  ゲート電極 ,  作製 ,  メサ型 ,  InP ,  ホットエレクトロントランジスタ