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J-GLOBAL ID：200902284378902940   整理番号：08A0523281

電子ドープ系高温超伝導体Nd_1.85Ce_0.15CuO₄のアニールによる電子構造変化

著者 (10件)： 池田正樹 (東大 新領域) ,  吉田鉄平 (東大 理) ,  藤森淳 (東大 新領域) ,  藤森淳 (東大 理) ,  久保田正人 (高エ研) ,  小野寛太 (高エ研) ,  加賀義弘 (東大 新領域) ,  笹川崇男 (東大 新領域) ,  笹川崇男 (東京工大 応用セラミックス研) ,  高木英典 (東大 新領域)
資料名： PFシンポジウム要旨集
巻： 25th  ページ： 145  発行年： 2008年 
JST資料番号： L2365A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 強束縛近似 ,  *高温超伝導体 ,  *電子構造 ,  ドーピング ,  *銅化合物 ,  酸化物 ,  ネオジム化合物 ,  セリウム化合物 ,  焼なまし ,  シンクロトロン放射 ,  *光電子スペクトル ,  角度分解分光法

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子 ,  ドープ ,  高温超伝導体 ,  アニール ,  電子構造