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J-GLOBAL ID：200902289607799000   整理番号：09A0995580

CaF₂基板上への(001),(101),(111)配向エピタキシャルPb(Zr_0.35,Ti_0.65)O₃膜の作製と評価

著者 (10件)： 宇津木覚 (東京工大) ,  藤澤隆志 (東京工大) ,  江原祥隆 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  森岡仁 (東京工大) ,  森岡仁 (ブルカーAXS) ,  石河睦生 (東京工大) ,  山田智明 (東京工大) ,  飯島高志 (産業技術総合研) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 2  ページ： 516  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  *MOCVD ,  *エピタクシー ,  *フッ化カルシウム ,  基板 ,  *X線回折 ,  結晶方位 ,  極点図 ,  *残留分極 ,  ヒステリシス ,  強誘電性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： CaF2 ,  配向 ,  エピタキシャル ,  Pb ,  O3 ,  作製 ,  評価