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J-GLOBAL ID：200902290045618633   整理番号：08A0943642

InGaAs上へのAl₂O₃のALD成長による良好なMIS界面特性の実現

著者 (12件)： 安田哲二 (産業技術総合研) ,  宮田典幸 (産業技術総合研) ,  石井裕之 (産業技術総合研) ,  板谷太郎 (産業技術総合研) ,  市川磨 (住友化学) ,  福原昇 (住友化学) ,  秦雅彦 (住友化学) ,  大竹晃浩 (物質・材料研究機構) ,  灰本隆志 (東大) ,  星井拓也 (東大) ,  竹中充 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 2  ページ： 719  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： リン化インジウム ,  基板 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  MOCVD ,  *酸化アルミニウム ,  化学蒸着 ,  *MIS構造 ,  界面 ,  容量電圧特性 ,  化合物半導体 ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： ALD

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaAs ,  Al2O3 ,  ALD ,  成長 ,  MIS ,  界面特性