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J-GLOBAL ID：200902292708697128   整理番号：09A0995564

MOCVD法で作成したエピタキシャルBiFeO₃-BiCoO₃薄膜の電気特性の結晶方位依存性

著者 (9件)： 安井伸太郎 (東京工大 大学院) ,  矢澤慶祐 (東京工大 大学院) ,  森岡仁 (東京工大 大学院) ,  森岡仁 (Bruker AXS) ,  内田寛 (上智大) ,  岡村総一郎 (東京理大) ,  飯島高志 (産業技術総合研) ,  山田智明 (東京工大 大学院) ,  舟窪浩 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 2  ページ： 510  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ビスマス化合物 ,  鉄酸塩 ,  *固溶体 ,  コバルト酸塩 ,  *MOCVD ,  エピタクシー ,  誘電体薄膜 ,  強誘電体 ,  正方晶系 ,  三方晶系 ,  チタン酸ストロンチウム ,  *結晶構造 ,  *X線回折 ,  極点図 ,  結晶方位 ,  圧電材料 ,  *ビスマスフェライト
準シソーラス用語： *コバルト酸ビスマス ,  *鉄酸ビスマス

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOCVD ,  エピタキシャル ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  電気特性 ,  結晶 ,  方位依存性