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J-GLOBAL ID：200902293734923981   整理番号：08A0084133

GaAsSb/GaAsヘテロ構造の発光特性と伝導帯制御

著者 (7件)： 佐藤充 (北大 電科研) ,  井筒康平 (北大 電科研) ,  定昌史 (北大 電科研) ,  定昌史 (日本学術振興会) ,  熊野英和 (北大 電科研) ,  末宗幾夫 (北大 電科研) ,  末宗幾夫 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
巻： 43rd-4th  ページ： 9  発行年： 2008年01月10日 
JST資料番号： L5918A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： アンチモン化物 ,...
準シソーラス用語： *伝導帯

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAsSb ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  発光特性 ,  伝導帯