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J-GLOBAL ID：200902295240169063   整理番号：06A1016086

トランスミッションフォーマリズムに基づいたヘテロ接合バイポーラトランジスタ中の二重層エミッタの帯電時間

Charging Time of Double-Layer Emitter in Heterojunction Bipolar Transistor Based on Transmission Formalism

著者 (6件)： MACHIDA Nobuya (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MACHIDA Nobuya (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 45  号： 33-36  ページ： L935-L937  発行年： 2006年09月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トランスミッションフォーマリズムに基づいたヘテロ接合バイポー...

シソーラス用語： *HBT【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： 二重層構造 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  二重層 ,  エミッタ ,  帯電