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J-GLOBAL ID:200902296651472332   整理番号:09A0610868

大気圧プラズマと表面処理 ナノパルスプラズマCVD法による大気圧下でのDLC合成

著者 (3件):
資料名:
巻: 60  号:ページ: 376-379  発行年: 2009年06月01日 
JST資料番号: G0441B  ISSN: 0915-1869  CODEN: HYGIEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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静電誘導サイリスタを用いて発生したパルス幅が数十ns~数μsの短パルス電圧を印加して大気圧プラズマを形成するナノパルスプラズマCVDによるDLC合成について説明した。従来,DLC膜の合成は1~10Pa程度の低圧力下で行われており,大気圧下では十分な硬さを持つDLC膜は得られなかった。原料ガスとしてCH4(80cc/min),キャリアガスとしてHe(3~6L/min)を用い,電極に電圧+2.5kV,パルス幅800ns,パルス周期3kHzのパルス電圧を3分間印加してSi基板上にDLC膜を合成した。生成した膜の厚みは1.1μmであり,成膜速度は極めて高い。Raman分光スペクトルはDLC膜の特徴を示した。ナノ押込硬さは20GPasと十分に高い硬さを示した。Auger電子法分析によると高濃度の酸素の混入はなかった。Al2O3ボールを相手材としたボールオンプレート摩擦,摩耗試験によると摩擦係数は低い値(0.12)であった。
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  プラズマ装置 
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