特許
J-GLOBAL ID：200903019875376959

半導体発光素子

発明者：
日野 智公

日野 智公 について

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成井 啓修

成井 啓修 について

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御友 重吾

御友 重吾 について

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冨谷 茂隆

冨谷 茂隆 について

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平野 英孝

平野 英孝 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-059428
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273587
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】活性層中の井戸層と基板との格子不整合性が2%以上の半導体発光素子において、井戸層の構成元素の偏在を防止し、低しきい値電流の半導体発光素子を提供する。【解決手段】第一の導電型のGaAs基板12上に、第一の導電型の下部Al0.47GaAsクラッド層14、第一の導電型のGaAs下部光ガイド層16、活性層18、第二の導電型のGaAs上部光ガイド層20、第二の導電型の上部Al0.47GaAsクラッド層22、及び第二の導電型のGaAsコンタクト層24の積層構造を有する。活性層は、AlxGa1-x-yInyAs(0≦x<1,0≦y<1;但しx=0のときはy≠0であり、y=0のときはx≠0)から構成されるバリア層18aと、Ga1-aInaNbAs1-b(0<a<1, 0<b<1)から構成される井戸層18bとを交互に積層した多重量子井戸構造として構成されていて、井戸層18bとGaAs基板との格子不整合性は+2%以上である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に多重量子井戸構造の活性層を含む積層構造を備え、活性層を構成する井戸層と基板との格子不整合性が+2%以上である半導体発光素子において、 活性層を構成する複数層のバリア層のうち少なくとも一つのバリア層の全層又は井戸層に接する領域層が、井戸層の歪量よりも少ないプラス歪を有する化合物半導体層であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S5/343 ,  H01L21/205
FI (2件)：
H01S5/343 610 ,  H01L21/205
Fターム (16件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CB02 ,  5F045DA55 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (4件)
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