特許
J-GLOBAL ID：200903079153427012

GaInNAs半導体素子及びその製造方法

発明者：
清水 均

清水 均 について

, 
熊田 浩二

熊田 浩二 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-060513
公開番号（公開出願番号）：特開2001-251021
出願日： 2000年03月06日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：
【要約】【課題】 GaInNAs系半導体を量子井戸構造として用いた半導体素子及びその製造方法に関するもので、特に長波長帯レーザにおいて、室温でのしきい値電流密度が低く、しきい値電流密度の温度特性に優れた半導体レーザを提供する。【解決手段】 量子井戸構造中のGaInAsN井戸層12のIII族(GaとIn)組成とGaInAsP障壁層11のIII族組成が、ほぼ等しくなるように設定する。こうして井戸層12と障壁層11の間で、熱処理中にIII族元素が拡散が抑制されるため、700°C〜800°Cの温度雰囲気下で熱処理することが可能になり、高品質な半導体レーザを得ることができる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に、量子井戸層と障壁層を有する量子井戸構造を含むIII-V族化合物半導体層を有する量子井戸半導体素子において、量子井戸構造中の井戸層Ga<SB>x1</SB>In<SB>1-x1</SB>As<SB>y1</SB>N<SB>1-y1</SB>(0<x1≦1、0<y1<1)と障壁層Ga<SB>x2</SB>In<SB>1-x2</SB>As<SB>y2</SB>P<SB>1-y2</SB>(0≦x2≦1、0≦y2≦1)のそれぞれのIII族組成が、下記の式を満足することを特徴とするGaInNAs半導体素子。0<x1≦0.5のとき0.5×x1≦x2≦1.5×x10.5<x1≦1のとき0.5×(1-x1)≦1-x2≦1.5×(1-x1)
Fターム (11件)：
5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA06 ,  5F073DA16 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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