特許

J-GLOBAL ID：200903023802647366

散乱型偏光板の製造方法

発明者： 扇澤 敏明 ,  久保山 敬一 ,  武田 淳 ,  豊岡 武裕 ,  上坂 哲也
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学 ,  新日本石油株式会社
代理人 (1件)： 長濱 範明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-285400
公開番号（公開出願番号）：特開2006-072272
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】 透過光強度の角度依存性が十分に向上し、標準直線偏光板と同等の偏光板としての性能を有する散乱型偏光板を、効率良くかつ確実に得ることが可能な散乱型偏光板の製造方法を提供すること。【解決手段】 液晶状態においてはネマチック相を有しかつガラス転移点以下の温度ではガラス状態となる液晶性高分子と、非晶性高分子とを含有する溶液を、配向規制力のある基板上に塗布する工程と、 前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記基板の配向規制力によって前記液晶性高分子を所定方向に配向させる工程と、 前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記液晶性高分子に磁場を印加し、前記液晶性高分子を前記所定方向に更に配向させる工程と、 前記所定方向に配向せしめた前記液晶性高分子を、配向状態が維持されるように冷却してガラス状態とし、前記液晶性高分子と前記非晶性高分子とからなる散乱型偏光板を得る工程と、を含むことを特徴とする散乱型偏光板の製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

液晶状態においてはネマチック相を有しかつガラス転移点以下の温度ではガラス状態となる液晶性高分子と、非晶性高分子とを含有する溶液を、配向規制力のある基板上に塗布する工程と、 前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記基板の配向規制力によって前記液晶性高分子を所定方向に配向させる工程と、 前記液晶性高分子が液晶状態を呈する温度で、前記液晶性高分子に磁場を印加し、前記液晶性高分子を前記所定方向に更に配向させる工程と、 前記所定方向に配向せしめた前記液晶性高分子を、配向状態が維持されるように冷却してガラス状態とし、前記液晶性高分子と前記非品性高分子とからなる散乱型偏光板を得る工程と、 を含むことを特徴とする散乱型偏光板の製造方法。

IPC (3件)：

G02B 5/30 ,  G02F 1/13 ,  G02F 1/133

FI (3件)：

G02B5/30 ,  G02F1/13 505 ,  G02F1/1335 510

Fターム (18件)：

2H049BA02 ,  2H049BA42 ,  2H049BA44 ,  2H049BC01 ,  2H049BC02 ,  2H049BC06 ,  2H049BC22 ,  2H088EA45 ,  2H088EA47 ,  2H088GA06 ,  2H088HA18 ,  2H088JA02 ,  2H091FA08X ,  2H091FA08Z ,  2H091FA31X ,  2H091FA31Z ,  2H091HA02 ,  2H091HA05

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭64-77001号公報
  
• 光学素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-185349   出願人：積水化学工業株式会社
• 異方性光散乱素子、およびそれを用いた異方性光散乱偏光板、ならびにそれらを用いた画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-277805   出願人：日東電工株式会社