特許
J-GLOBAL ID：200903023959127994
分子素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平山 一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-189807
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021685
出願日： 2006年07月10日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】13K以上の高温においても、スイッチングの阻害要因となる金属内包フラーレンの熱的な回転を回避し、外部から電界を加えることによりスイッチングできる新規な分子素子を提供する。【解決手段】分子素子10は、第1の電極1と、第1の電極1上に配置される自己組織化単分子膜2と、自己組織化単分子膜2上に配置される金属内包フラーレン3と、金属内包フラーレン3上に所定の距離を隔てて配置される第2の電極4と、を備え、自己組織化単分子膜の厚みが1.2nm以下である。自己組織化単分子膜2は、第1の電極1となる金属原子に化学吸着する第1の官能基と第1の官能基に結合する第2の官能基とから成る。この分子素子10は、65.1Kでスイッチング素子やメモリ素子として動作する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と、該第1の電極上に配置される自己組織化単分子膜と、自己組織化単分子膜上に配置される金属内包フラーレンと、該金属内包フラーレン上に所定の距離を隔てて配置される第2の電極と、を備え、
上記自己組織化単分子膜の厚みが1.2nm以下であることを特徴とする、分子素子。
IPC (7件)：
H01L 51/30
, B82B 1/00
, H01L 49/00
, H01L 45/00
, H01L 51/05
, H01L 51/40
, H01L 27/10
H01L29/28 250E
, B82B1/00
, H01L49/00 Z
, H01L45/00 Z
, H01L29/28 100B
, H01L29/28 310E
, H01L27/10 451
5F083FZ07
, 5F083GA11
, 5F083JA60
