トンネル磁気抵抗素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平山一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-023585
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192712
出願日： 2007年02月01日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：

【課題】積層構造を有さないでトンネル接合を形成した新規な構造のトンネル接合磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】強磁性体からなる第1の電極12と強磁性体からなる第2の電極13と第1の電極12及び第2の電極13の間に配置されるナノ粒子14とを備え、ナノ粒子14が強磁性金属ナノ粒子14aの外周に絶縁性を有する保護基14bを有する。強磁性金属ナノ粒子14aと第1の電極12との間に第1のトンネル接合15aが形成され、強磁性金属ナノ粒子14aと第2の電極13との間に第2のトンネル接合15bが形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強磁性体からなる第1の電極と、第2の電極と、上記第1の電極及び上記第2の電極間に配置されるナノ粒子とを備え、上記ナノ粒子は強磁性金属ナノ粒子の外周に絶縁性を有する保護基を有してなり、上記強磁性金属ナノ粒子と上記第1の電極との間にトンネル接合が形成されることを特徴とする、トンネル磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G01R 33/09 , H01F 10/32

FI (4件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G01R33/06 R , H01F10/32

Fターム (39件)：

2G017AD55 , 2G017AD56 , 2G017AD62 , 2G017AD63 , 2G017AD64 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119DD03 , 4M119DD05 , 4M119DD10 , 4M119DD22 , 4M119JJ01 , 4M119JJ09 , 5E049BA16 , 5E049BA25 , 5E049CB01 , 5F092AA15 , 5F092AB01 , 5F092AB06 , 5F092AC11 , 5F092AD07 , 5F092BB04 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB25 , 5F092BB40 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB45 , 5F092BB55 , 5F092BC42 , 5F092BC46 , 5F092BC50 , 5F092BE11 , 5F092BE13 , 5F092CA04 , 5F092CA25

引用特許：

出願人引用 (2件)

トンネル磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-331383 出願人：シャープ株式会社
トンネル磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-279289 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 科学技術振興事業団

審査官引用 (4件)

量子ドットをベースにした磁気ランダムアクセスメモリセルとそのアレイ、および、これらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-233312 出願人：日本電気株式会社
化学的にゲート動作する単一電子トランジスタを使用したセンシングデバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-517431 出願人：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
強磁性単電子素子とこれを用いた記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-068384 出願人：独立行政法人科学技術振興機構

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