特許
J-GLOBAL ID：200903026757347495
強磁性単電子素子とこれを用いた記憶素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068384
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281548
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】高性能な強磁性単電子素子と、この強磁性単電子素子を用いた集積化により高集積密度化が可能な記憶素子を提供する。【解決手段】分子線エピタキシー法、化学的気相成長法、真空蒸着法またはスパッタ法により強磁性体材料1,2,3を絶縁性基板上に形成し、陽極酸化法、自然酸化法またはプラズマ酸化法により絶縁体4を作成することで2つの強磁性体材料1,3及び強磁性体材料2,3を直列接続して強磁性トンネル接合1a,1bを作成し、その両端の一方をソース電極6とし、他方をドレイン電極7とする。この2つの強磁性トンネル接合の間を中央電極5とし、中央電極5とゲート電極8とを抵抗体とキャパシタンスからなる直列回路により結合して構成される。ソース電極6、ドレイン電極7および中央電極5の磁化方向は矢印で示し、ゼロ磁場では反強磁性的に配列し、外部磁場の印加により強磁性的配列をとる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
強磁性トンネル接合を直列につなぐ接続部の中央電極からゲート電極をとる3端子構造の強磁性単電子素子において、ゲート電極と中央電極とを抵抗体とキャパシタンスからなる直列回路により結合することを特徴とする強磁性単電子素子。
IPC (4件)：
H01L27/105
, G11C11/15
, H01L29/82
, H01L43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, H01L29/82 T
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083JA60
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083ZA21
