化合物半導体素子およびその製造方法、並びに半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-295997
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188448
出願日： 2002年10月09日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】InGaN層のInの不均一性を評価するための別の新たな指標を提示し、当該指標をもとにInの不均一性を制御し素子特性を良好にした化合物半導体素子およびその製造方法、並びに半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】所定の組成比x(0<x<1)でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶In<SB>x</SB> Ga<SB>1-x</SB> Nを活性層8として含む化合物半導体素子であって、任意の第1のインジウム原子に対して第2近接の第2のインジウム原子の配位数が、12x+1以上、12x+2以下に規定されている。あるいは、第1のインジウム原子と第2近接の第2のインジウム原子の距離と、第1のインジウム原子と当該第1のインジウム原子に対して第2近接のガリウム原子との距離の差の絶対値が、0nm以上、0.006nm以下に規定されている。

請求項（抜粋）：

所定の組成比x(0<x<1)でインジウムを含有する窒化ガリウムインジウム混晶In<SB>x</SB> Ga<SB>1-x</SB> Nを含む化合物半導体素子であって、任意の第1のインジウム原子に対する第2近接の第2のインジウム原子の配位数が、前記インジウムの組成比xと所定の相関関係を有するように規定されている化合物半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/00 , H01L 21/66

FI (2件)：

H01S 5/00 , H01L 21/66 N

Fターム (15件)：

4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106CB21 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073CA03 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073EA24 , 5F073HA02 , 5F073HA10 , 5F073HA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3097596号

審査官引用 (2件)

窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-314339 出願人：日亜化学工業株式会社
化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-261044 出願人：昭和電工株式会社

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