特許

J-GLOBAL ID：200903057405589807

窒化物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  岩佐 成人 ,  長濱 慎一
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-314339
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316528
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【課題】緑色LEDのみならず360nm以上の発光波長で高輝度、高出力の窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】少なくともインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層6に接して、n型の窒化物半導体よりなる第1のn型クラッド層5および/またはp型の窒化物半導体よりなる第1のp型クラッド層7を形成する。第1のn型クラッド層5は、活性層6よりも小さい熱膨張係数を有し、第1のp型クラッド層7も、活性層6よりも小さい熱膨張係数を有する。活性層6は単一量子井戸構造または多重量子井戸構造とされ、これにより活性層6を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光させるようする。

請求項（抜粋）：

n型の窒化物半導体よりなる第1のn型クラッド層と、p型の窒化物半導体よりなる第1のp型クラッド層との間に、少なくともインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層を備え、該第1のn型クラッド層は、該活性層よりも小さい熱膨張係数を有し、該第1のp型クラッド層は、該活性層よりも小さい熱膨張係数を有し、該活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造とすることにより、活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光させるようにしたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 青色発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-114541   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203084   出願人：日本電信電話株式会社