特許

J-GLOBAL ID：200903051097811155

高強度超短パルスレーザー加工方法

発明者： 増原 宏 ,  城田 靖彦 ,  朝日 剛 ,  細川 陽一郎
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-052687
公開番号（公開出願番号）：特開2001-239379
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：

【要約】【課題】 固体状有機化合物に対して加工深さを正確に制御できる高強度超短パルスレーザー加工方法を提供する。【解決手段】 高強度超短パルスレーザー加工方法であって、高強度超短パルスレーザーを、吸収係数が10μm-1以下の固体状有機化合物に対して単発で照射し、レーザー光の半分が固体状有機化合物10に吸収される領域の表面層のみが加工されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

高強度超短パルスレーザーを、固体状有機化合物に対して単発で照射し、レーザー光の半分が固体状有機化合物に吸収される領域の表面層のみが加工されることを特徴とする高強度超短パルスレーザー加工方法。

IPC (3件)：

B23K 26/00 ,  B23K 26/00 330 ,  H01S 3/10

FI (3件)：

B23K 26/00 G ,  B23K 26/00 330 ,  H01S 3/10 Z

Fターム (6件)：

4E068AF01 ,  4E068CA03 ,  4E068DB07 ,  5F072AB20 ,  5F072KK30 ,  5F072PP10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-111800
  
• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-268044   出願人：株式会社シンク・ラボラトリー