特許
J-GLOBAL ID：200903057944718840
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285140
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135605
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 微細な径の接続孔あるいは微細な幅の配線溝に的確に金属を埋め込む。【解決手段】 半導体基板14上に拡散層13を形成した後に、絶縁膜15を形成し、次にリソグラフィー工程とエッチング工程により接続孔16を形成する。そして、フィルム1上に形成した高い粘性を有する金属酸化物前駆体2を接続孔16に転写し、フィルムを剥離する。しかる後、転写した金属酸化物前駆体12を還元雰囲気化で金属膜17を形成し、接続孔16内に充填された以外の金属膜17を除去する。
請求項（抜粋）：
電極配線の形成において、フィルム上に高い粘性を有する金属酸化物前駆体を形成する工程と、該金属酸化物前駆体を半導体基板上に形成した接続孔に転写する工程と、転写した金属酸化物前駆体から該フィルムを剥離する工程と、該金属酸化物前駆体を還元雰囲気下で加熱することにより金属膜を形成する工程と、該接続孔内部以外の該金属膜を除去する工程を少なくとも備えたことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H05K 3/20
, H01L 21/288
, H05K 3/46
H05K 3/20 A
, H01L 21/288 Z
, H05K 3/46 N
