特許

J-GLOBAL ID：200903070163112187

半導体電界吸収型変調器

発明者： 赤毛 勇一 ,  深野 秀樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-278514
公開番号（公開出願番号）：特開2005-043722
出願日： 2003年07月23日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】 光変調を行う際の光吸収電流の発生量を局所的に制御する。【解決手段】 吸収領域4a〜4dを光導波方向に沿って離散的に配置することにより、光吸収に実質的に寄与する各光吸収領域4a〜4dの間に、光吸収に実質的に寄与しない光吸収抑制領域5a〜5cを光導波方向に沿って設ける【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

印加電圧に基づいて吸収係数が変化する光吸収層と、 前記光吸収層を導波する光の経路上に設けられ、光吸収の発生を抑制する抑制領域とを備えることを特徴とする半導体電界吸収型変調器。

IPC (2件)：

G02F1/025 ,  G02F1/017

FI (2件)：

G02F1/025 ,  G02F1/017 503

Fターム (13件)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079EB12 ,  2H079HA14 ,  2H079HA15 ,  2H079HA22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-055514
  
• 電気吸収型光変調素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-316326   出願人：日本航空電子工業株式会社
• 半導体光変調器及び光変調器集積型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-293901   出願人：沖電気工業株式会社
• 吸収形半導体光変調器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-328635   出願人：日本電信電話株式会社