特許

J-GLOBAL ID：200903076693554502

窒化ガリウム等のIII族窒化物の成膜方法

発明者： 長田 貴弘 ,  知京 豊裕 ,  上原 剛
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  積水化学工業株式会社
代理人 (2件)： 渡辺 昇 ,  原田 三十義
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2006315404
公開番号（公開出願番号）：WO2007-018121
出願日： 2006年08月03日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】 大気圧プラズマを用いてGaN等のIII族窒化物を成膜する。【解決手段】 リアクタチャンバ12内を40kPa程度の略大気圧の純窒素で満たす。電極14上にc面サファイア基板90を載置する。ヒータ15で基板温度を650°Cにする。電極13,14間に電界を印加して放電空間11aを形成する。ガス供給系20においてN2にトリメチルガリウムを微量添加し、放電空間11aに供給し、サファイア基板90に接触させる。基板90上でのV/III比が10〜100000となるようにする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板にIII族窒化物を成長させる方法であって、 大気圧近傍の窒素雰囲気下で一対の電極間に電界を印加することにより放電空間を形成する工程と、 この放電空間に導入した窒素とIII族金属を含む金属化合物とを、V/III比が10〜100000となるようにして前記基板に接触させる工程と、 を含むことを特徴とするIII族窒化物の成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34

Fターム (25件)：

4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AD10 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045EE12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-258295   出願人：科学技術振興事業団
• 特開平4-164859号公報