特許
J-GLOBAL ID：200903087602851072
プラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258295
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106958
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 高成長速度、高品質膜作製というMOCVDの特徴と、低環境コストというMBEの特徴をともに実現するプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 成長チャンバー1には窒素プラズマソース、Gaソースのトリメチルガリウム(TMG)の供給ライン、真空ポンプとバルブ、真空計などとともに、加熱機構付の基板ホルダー7が設置されている。ここで、プラズマ条件として、1Torr程度の窒素圧力で十分なパワー(1kW以上)を供給することにより、熱プラズマが形成される。金属化学種の光分解を補助するためにMgOなどの窓を通してHeなどの希ガス放電管を照射することも有効である。
請求項（抜粋）：
窒素の熱プラズマあるいはこの状態に近い窒素プラズマを用い、前記窒素プラズマ形成時に発生する紫外光を利用して、金属ガスソースなどを分解するかあるいは表面でのマイグレイションを高めることにより、結晶性の向上と成長温度を低下させ、窒化物半導体を形成することを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/34
, C23C 16/50
, H01L 21/31
H01L 21/205
, C23C 16/34
, C23C 16/50
, H01L 21/31 C
