特許
J-GLOBAL ID：200903085028559209

有機半導体薄膜トランジスタおよび有機半導体薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
小穴 保久

小穴 保久 について

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真島 豊

真島 豊 について


出願人/特許権者：
エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド

エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド について

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国立大学法人東京工業大学

国立大学法人東京工業大学 について


代理人 (5件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  上田 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-172970
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091866
出願日： 2007年06月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタの本質的な課題であるソース電極端、ドレーン電極端でのペンタセン結晶軸不整合を解消し、正孔電流を増加させることのできる有機半導体薄膜トランジスタおよびその製造方法を得る。【解決手段】ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタであって、ソース電極5とドレーン電極6との間に、両電極端の段差を平坦化するように連続的に設けられた平坦化層7をさらに備え、平坦化層7は、結晶配向規制力を有し、平坦化されたソース電極、平坦化層、およびドレーン電極の上部の所定部分に渡って有機半導体層が形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタであって、 ソース電極とドレーン電極との間に、両電極端の段差を平坦化するように連続的に設けられた平坦化層をさらに備え、 前記平坦化層は、有機半導体材料に対する結晶配向規制力を有し、 平坦化された前記ソース電極、前記平坦化層、および前記ドレーン電極の上部の所定部分に渡って有機半導体層が形成される ことを特徴とする有機半導体薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40
FI (8件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  H01L29/28 390 ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617T
Fターム (20件)：
5F110AA07 ,  5F110AA18 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK07 ,  5F110NN01 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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