特許

J-GLOBAL ID：200903086432197368

半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 日野 智公 ,  東條 剛 ,  池田 昌夫 ,  大藤 良夫 ,  内田 史朗 ,  冨谷 茂隆 ,  森田 悦男
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (3件)： 森 幸一 ,  逢坂 宏 ,  松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-047184
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135792
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】窒化物系III-V族化合物半導体を加工することにより形成される共振器端面に端面コート膜を形成する場合にその密着性を向上させ、端面劣化を抑制し、通電中の動作電流の増加を抑制し、寿命の大幅な向上が可能な半導体レーザを提供する。【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、劈開などにより形成される共振器端面18に密着層を介して端面コート膜20を形成する。密着層としてはAl、Ti、Zr、Hf、Ta、ZnおよびSiからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素からなるものや、Al、Ti、Zr、Hf、Ta、ZnおよびSiからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素と酸素および/または窒素とを含む物質からなるもの、例えばAlOx 膜などを用いる。端面コート膜20の最下層としてはAl2 O3 膜などを用いる。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、 共振器端面に密着層を介して端面コート膜が形成されている ことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (1件)：

H01S 5/10

FI (1件)：

H01S5/10

Fターム (8件)：

5F173AA08 ,  5F173AB50 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP82 ,  5F173AQ06 ,  5F173AR13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-009813   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化物系半導体レーザー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-136714   出願人：松下電器産業株式会社
• 青色半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-187525   出願人：日本電気株式会社