特許
J-GLOBAL ID：200903038935974103

半導体レーザ装置

発明者：
粂 雅博

粂 雅博 について

, 
伴 雄三郎

伴 雄三郎 について

, 
石橋 明彦

石橋 明彦 について

, 
上村 信行

上村 信行 について

, 
武石 英見

武石 英見 について

, 
木戸口 勲

木戸口 勲 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009813
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270569
出願日： 1997年01月22日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】 しきい値電流が低く、収差のないレーザ光が得られる、GaN系半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 本発明による半導体レーザ装置は、基板112と、該基板112上に設けられた積層構造体150とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体レーザ装置であって、該積層構造体150は、少なくとも第1領域に形成されたInzGa1-zN活性層115(0≦z≦1)と、該活性層115を挟む一対のn型AlxGa1-xNクラッド層114(0≦x≦1) 及びp型AlyGa1-yNクラッド層116、118(0≦y≦1)と、AluGa1-uN(0≦u≦1)から形成されており、電流を該第1領域に狭窄するための該第1領域に対応する開口部180を有する電流狭窄構造117とを備えている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に設けられた積層構造体とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体レーザ装置であって、該積層構造体は、少なくとも第1領域に形成されたInzGa1-zN活性層(0≦z≦1)と、該活性層を挟む一対のn型AlxGa1-xNクラッド層(0≦x≦1)及びp型AlyGa1-yNクラッド層(0≦y≦1)と、AluGa1-uN(0≦u≦1)から形成されており、電流を該第1領域に狭窄するための該第1領域に対応する開口部を有する電流狭窄構造と、を備えている窒化ガリウム系化合物半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (14件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM