特許
J-GLOBAL ID：200903092098008320
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305506
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145058
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 微細化のために高濃度に不純物が導入されたシリコン基板上であっても、欠陥がなく表面の平坦性が高いシリコン膜を選択的に形成でき、これにより、良好に素子の低抵抗化を実現できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板上にソース・ドレイン領域を形成する工程と、該領域上にシリコン膜を選択的に成長させる工程を有する半導体装置の製造方法において、該シリコン膜の成長初期において、下地の結晶性の影響を受けないでその膜表面が平坦になるように、シラン系ガス流量と成長温度を反応律速領域に制御して、シリコン膜を選択的に成長させる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上にソース・ドレイン領域を形成する工程と、該領域上にシリコン膜を選択的に成長させる工程を有する半導体装置の製造方法であって、該シリコン膜の少なくとも成長初期において、下地の結晶性の影響を受けないでその膜表面が平坦になるように、シラン系ガス流量と成長温度を反応律速領域に制御して、シリコン膜を選択的に成長する工程を有する半導体装置の製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
