半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-082642
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299449
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【目的】強誘電体材料を使用して小面積で大きな容量がえられると共に温度変化の小さいコンデンサおよびそのコンデンサをメモリ用に私用する半導体素子を提供する。【構成】強誘電体材料の平均結晶粒径を150nm以下に調製してセラミックコンデンサを形成する。またメモリ用の半導体素子のコンデンサとしては、平均結晶粒径を150nm以下にすると共に、誘電体膜の薄膜の厚さより小さくする。さらに、半導体素子の使用温度範囲よりキュリー温度が低くなるように結晶粒径または結晶格子の体積を調整することにより、強誘電体材料を常誘電相で使用することができ、書込み回数を多くしても疲労の少ないメモリ用半導体素子がえられる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成されたトランジスタと、該半導体基板に設けられ、かつ、前記トランジスタに接続されるコンデンサとからなる半導体素子であって、前記コンデンサの誘電体膜が強誘電体材料の薄膜からなり、該強誘電体材料の薄膜の平均結晶粒径が該薄膜の膜厚より小さく、かつ、20nm以上100nm以下とされてなる半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01G 4/33

FI (3件)：

H01L 27/10 651 , H01G 4/06 102 , H01L 27/10 621 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-112412
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-152555 出願人：株式会社東芝

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