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J-GLOBAL ID：201002203209587514   整理番号：10A0881814

SiGeヘテロ構造上のMOS電気ゲートを使った横型のドットの作製<英文title>Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure.

著者 (12件)： 小幡利顕 (東大 工) ,  申潤錫 (ポハン大 理工) ,  ロランドブルナ (レオベン大) ,  武田健太 (東大 工) ,  福岡佑二 (東工大 量子ナノエレ研セ) ,  大塚朋廣 (東大 工) ,  小寺哲夫 (東工大 量子ナノエレ研セ) ,  吉田勝治 (東大 工) ,  澤野憲太郎 (都市大 総研) ,  小田俊理 (東工大 量子ナノエレ研セ) ,  白木靖寛 (都市大 総研) ,  樽茶清悟 (東大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 65  号： 2 第4分冊  ページ： 645  発行年： 2010年08月18日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *二次元電子ガス ,  化学蒸着 ,  チタン ,  金 ,  電極 ,  ゲート【半導体】 ,  *量子ドット ,  スピントロニクス ,  電子スピン ,  核スピン ,  Overhauser効果 ,  *ケイ化ゲルマニウム
準シソーラス用語： 原子層堆積 ,  Overhauser

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiGe ,  ヘテロ構造 ,  MOS ,  ゲート ,  横型 ,  ドット ,  作製 ,  DOT