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J-GLOBAL ID：201002212948232286   整理番号：10A0463293

エピタキシャルBi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃系薄膜の正方晶性制御

著者 (7件)： 安井伸太郎 (東京工大) ,  矢澤慶祐 (東京工大) ,  山田智明 (東京工大) ,  森岡仁 (東京工大) ,  森岡仁 (ブルカーAXS) ,  内田寛 (上智大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.17P-TR-14  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  チタン酸塩 ,  亜鉛化合物 ,  鉄酸塩 ,  固溶体 ,  薄膜成長 ,  MOCVD ,  エピタクシー ,  正方晶系 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  化学組成 ,  添加物効果 ,  *誘電体薄膜
準シソーラス用語： 格子面間隔

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  Bi ,  O3 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  正方晶