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J-GLOBAL ID：201002221595363038   整理番号：10A1101950

(La_0.07Sr_0.93)SnO₃透明電極を用いたCaF₂基板上Pb(Zr,Ti)O₃膜のエピタキシャル成長と分極軸制御

著者 (6件)： 宇津木覚 (東京工大) ,  山田智明 (東京工大) ,  江原祥隆 (東京工大) ,  田中秀典 (東京工大) ,  内田寛 (上智大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.16P-NJ-11  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 透明電極 ,  酸化物 ,  スズ化合物 ,  ランタン化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  基板 ,  フッ化カルシウム ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *強誘電体 ,  エピタクシー ,  レーザ蒸着 ,  X線回折 ,  *誘電体薄膜 ,  強誘電分域 ,  分域構造 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 透明電極 ,  CaF2 ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  エピタキシャル成長 ,  分極