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J-GLOBAL ID：201002223879162540   整理番号：10A0349379

エピタキシャルBi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃系薄膜の添加物による歪制御

著者 (7件)： 安井伸太郎 (東京工大) ,  矢澤慶祐 (東京工大) ,  山田智明 (東京工大) ,  森岡仁 (東京工大) ,  森岡仁 (ブルカーAXS) ,  内田寛 (上智大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集
巻： 2010  ページ： 168  発行年： 2010年03月22日 
JST資料番号： X0505A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *チタン化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  圧電体 ,  *誘電体薄膜 ,  *エピタクシー ,  基板 ,  ストロンチウム化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  酸素酸塩 ,  チタン酸ストロンチウム ,  添加剤 ,  化学組成 ,  構造解析 ,  面間隔 ,  *格子歪 ,  MOCVD ,  ルテニウム酸ストロンチウム
準シソーラス用語： エピタキシャル ,  格子面間隔 ,  添加物

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (7件)： エピタキシャル ,  BI ,  O3 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  添加物 ,  歪制御