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J-GLOBAL ID：201002225612689924   整理番号：10A0463299

CaF₂基板上の作製した菱面体組成エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃膜の結晶構造および強誘電特性

著者 (7件)： 江原祥隆 (東京工大 大学院) ,  宇津木覚 (東京工大 大学院) ,  中島光雅 (東京工大 大学院) ,  森岡仁 (東京工大 大学院) ,  森岡仁 (ブルカーAXS) ,  山田智明 (東京工大 大学院) ,  舟窪浩 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.18A-TR-2  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  バッファ層 ,  基板 ,  フッ化カルシウム ,  チタン酸ストロンチウム ,  エピタクシー ,  MOCVD ,  *薄膜成長 ,  三方晶系 ,  正方晶系
準シソーラス用語： 菱面体晶系

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： CaF2 ,  作製 ,  体組成 ,  エピタキシャル ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  結晶構造 ,  強誘電特性