文献

J-GLOBAL ID：201002226054063769   整理番号：10A1101910

90°ドメインウォール密度の制御による(100)/(001)配向PZTエピタキシャル膜の圧電特性向上

著者 (7件)： 中島光雅 (東京工大) ,  中木寛 (東京工大) ,  江原祥隆 (東京工大) ,  山田智明 (東京工大) ,  森岡仁 (東京工大) ,  森岡仁 (ブルカーAXS) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.15A-NJ-10  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 分域構造 ,  密度 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  MOCVD ,  誘電体薄膜 ,  エピタクシー ,  強誘電体 ,  優先配向 ,  X線回折 ,  *圧電気 ,  歪 ,  圧縮歪
準シソーラス用語： 分域壁

分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドメイン ,  ウォール ,  密度 ,  配向 ,  PZT ,  エピタキシャル膜 ,  圧電特性