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J-GLOBAL ID：201002233236078075   整理番号：10A0990531

PSPICEによるGaNパワーMOSFETのスイッチング特性解析

著者 (10件)： 岡本昌幸 (山口大 大学院理工学研究科) ,  平木英治 (山口大 大学院理工学研究科) ,  田中俊彦 (山口大 大学院理工学研究科) ,  橋詰保 (JST-CREST) ,  加地徹 (JST-CREST) ,  岡本昌幸 (JST-CREST) ,  平木英治 (JST-CREST) ,  田中俊彦 (JST-CREST) ,  橋詰保 (北大 量子集積エレクトロニクスセ) ,  加地徹 (豊田中研)
資料名： 電気学会産業応用部門大会講演論文集  (電気学会産業応用部門全国大会講演論文集)
巻： 2010  号： 1  ページ： I.373-I.374  発行年： 2010年08月24日 
JST資料番号： L2177A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： SPICEプログラム ,  窒化ガリウム ,  *MOSFET ,  電力トランジスタ ,  *回路シミュレーション ,  環境保全 ,  *スイッチング損失 ,  スイッチ回路 ,  スイッチング特性
準シソーラス用語： GaN ,  スイッチング回路 ,  パワーMOSFET

分類 (3件)： 電源回路  (NC05060Q) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (5件)： PSpice ,  GaN ,  パワーMOSFET ,  スイッチング ,  特性解析