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J-GLOBAL ID：201002237851084625   整理番号：10A0500552

厚さ75nmのコレクタを有するInGaAs SHBTのコレクタ電流広がりの推定

Estimation of Collector Current Spreading in InGaAs SHBT Having 75-nm-Thick Collector

著者 (5件)： MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKAHASHI Shinnosuke (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Takashi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI Hiroyuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E93-C  号： 5  ページ： 644-647  発行年： 2010年05月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らは厚さ75nmのコレクタを有するInGaAs単一ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(SHBT)のコレクタ電流広がりを調査した。200,400と600nmの3種類のエミッタ幅のSHBTを作製し,最大遮断周波数は468GHzであった。最大遮断周波数の電流密度とエミッタ幅との関係はコレクタに基づく電圧に依存せず,そのために電流広がりを説明できなかった。しかし,全コレクタの静電容量の増大による電流密度とエミッタ幅との関係はコレクタの電流広がりを示唆した。電流広がりを約90nmと推定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 遮断周波数 ,  *コレクタ【半導体】 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *HBT【トランジスタ】 ,  バイポーラトランジスタ ,  エミッタ【半導体】 ,  静電容量
準シソーラス用語： InGaAs ,  キャパシタンス ,  広がり

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• SNODGRASS, W. Pseudomorphic InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors (PHBTs) experimentally demonstrated f_T=765 GHz at 25°C increasing to f_T=845 GHz at -55°C. Int. Electron. Dev. Meetings, Tech. Dig., 2006. 2006, 556-559
• IDA, M. Over 300 GHz f_T and f_<max> InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors with a thin pseudomorphic base. IEEE Electron. Device Lett. 2002, 23, 12, 694-696
• RODWELL, M. J. W. Submicron scaling of HBTs. IEEE Trans. Electron. Devices. 2001, 48, 11, 2606-2624
• KURISHIMA, K. An analytic expression of f_<max> for HBT's. IEEE Trans. Electron Devices. 1996, 43, 12, 2074-2079
• MIYAMOTO, Y. InP buried growth of SiO_2 wires toward reduction of collector capacitance in HBT. J. Cryst. Growth. 2007, 298, 867-870

タイトルに関連する用語 (5件)： コレクタ ,  InGaAs ,  コレクタ電流 ,  広がり ,  推定