文献

J-GLOBAL ID：201002239050361514   整理番号：10A0490987

極薄埋込み酸化物を持つ固有チャネルシリコンオンインシュレータ金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの閾値電圧変動性の閾値電圧依存性

Threshold Voltage Dependence of Threshold Voltage Variability in Intrinsic Channel Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Ultrathin Buried Oxide

著者 (4件)： LEE Chiho (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  PUTRA Arifin Tamsir (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 2  ページ： 04DC01.1-04DC01.4  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極薄埋込み酸化物を持つ固有チャネルシリコンオンインシュレータ(SOI)金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のランダムドーパント変動による閾値電圧(V_th)変動性を三次元デバイスシミュレーションによって研究した。バルクとドーピングチャネルSOI MOSFETと比べると,固有チャネルSOI MOSFETのV_th変動は,V_thの増加により減少することが分かった。固有チャネルSOI MOSFETのためのデバイス設計指針についても議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 超薄膜 ,  埋込み【挿入】 ,  酸化物 ,  チャネル ,  SOI構造 ,  *MOSFET ,  閾値 ,  可変性 ,  *電圧依存性 ,  ドーパント ,  三次元 ,  計算機シミュレーション ,  ドーピング ,  指針 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション ,  設計指針 ,  素子設計

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (21件)：

• M. J. M. Pelgrom, A. C. J. Duinmaijer, and A. P. G. Welbers: IEEE Solid-State Circuits 24(1989)1433.
• T. Mizuno, J. Okumura, and A. Toriumi: IEEE Trans. Electron Devices 41(1994)2216.
• A. Asenov: IEEE Trans. Electron Devices 45(1998)2505.
• Y. Yasuda, M. Takamiya, and T. Hiramoto: IEEE Trans. Electron Devices 47(2000)1838.
• A. T. Putra, A. Nishida, S. Kamohara, and T. Hiramoto: Appl. Phys. Express 2(2009)024501.

タイトルに関連する用語 (9件)： 埋込み ,  酸化物 ,  固有 ,  チャネル ,  シリコンオンインシュレータ ,  電界効果トランジスタ ,  閾値電圧 ,  変動性 ,  依存性