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J-GLOBAL ID：201002247547582860   整理番号：10A0727699

ミリ波応用のための(In_xGa_1-xAs)_m/(InAs)_n超格子チャネル構造を用いたメタモルフィック高電子移動度トランジスタのRF性能向上

RF Performance Improvement of Metamorphic High-Electron Mobility Transistor Using (In_xGa_1-xAs)_m/(InAs)_n Superlattice-Channel Structure for Millimeter-Wave Applications

著者 (8件)： KUO Chien-I (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU Heng-Tung (Yuan Ze Univ., Chung Li, TWN) ,  CHEN Yu-Lin (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WU Chien-Ying (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Edward Yi (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TSERN Wen-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SAHOO Kartik Chandra (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 7  ページ： 677-679  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低雑音ミリ波応用向けとして,(In_0.53Ga_0.47As)_m/(InAs)_n超格子チャネルを用いたメタモルフィックHEMTの作製に成功した。ゲート長80nmのデバイスで,ドレイン電流392mA/mm,最大相互コンダクタンス991mS/mmの極めて優れた性能を得た。普通のIn_0.52Ga_0.48Asチャネル構造に対する性能優位は,高い電子移動度と良好なキャリア閉じ込めに由来する。電流利得遮断周波数と最大発振周波数は,それぞれ304GHz,162GHzとなった。雑音性能については,16GHzで0.75dBの最小雑音指数,9.6dBの付随利得を示した。

シソーラス用語： *HEMT ,  *超格子 ,  *チャネル ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヒ化インジウム ,  相互コンダクタンス ,  電流 ,  雑音指数 ,  遮断周波数
準シソーラス用語： ドレイン電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ミリ波 ,  応用 ,  InAs ,  超格子 ,  高電子移動度トランジスタ ,  RF ,  性能向上