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J-GLOBAL ID：201002255050713246   整理番号：10A0349564

PbTiO₃より3倍以上大きな正方晶歪を有する誘電体薄膜の作製と特性評価

著者 (12件)： 舟窪浩 (東京工大) ,  矢澤慶祐 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  松島正明 (東京工大) ,  内田寛 (上智大) ,  飯島高志 (産業技術総合研) ,  山田智明 (東京工大) ,  WANG Junling (Nanyang Tech. Univ.) ,  LU You (Nanyang Tech. Univ.) ,  森岡仁 (Bruker AXS) ,  山本剛久 (東大) ,  幾原雄一 (東大)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集
巻： 2010  ページ： 262  発行年： 2010年03月22日 
JST資料番号： X0505A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *格子歪 ,  正方晶系 ,  *ビスマス化合物 ,  *チタン酸塩 ,  *ジルコニウム酸塩 ,  *鉄酸塩 ,  *複合材料 ,  MOCVD ,  *蒸着膜 ,  ストロンチウム化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  酸素酸塩 ,  チタン酸ストロンチウム ,  結晶構造解析 ,  チタン酸鉛 ,  ルテニウム酸ストロンチウム ,  *ビスマスフェライト
準シソーラス用語： *チタン酸ジルコニウム酸ビスマス ,  *鉄酸ビスマス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 正方晶 ,  歪 ,  誘電体薄膜 ,  作製 ,  特性評価