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J-GLOBAL ID：201002256867100579   整理番号：10A1103658

Si/SiGe系2DEGのPdショットキーゲート制御による結合量子ドットの作製

著者 (11件)： 福岡佑二 (東工大 量子ナノエレ研セ) ,  小寺哲夫 (東工大 量子ナノエレ研セ) ,  大塚朋廣 (東大 工) ,  武田健太 (東大 工) ,  小幡利顕 (東大 工) ,  吉田勝治 (東大 工) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 総研) ,  内田建 (東工大 量子ナノエレ研セ) ,  白木靖寛 (東京都市大 総研) ,  樽茶清悟 (東大 工) ,  小田俊理 (東工大 量子ナノエレ研セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.14A-NC-1  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  固溶体 ,  Schottky障壁 ,  ゲート【半導体】 ,  パラジウム ,  電子スピン ,  二次元電子ガス ,  計算機シミュレーション ,  電位分布 ,  電気特性 ,  *結合量子ドット ,  計算機利用 ,  利用

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  SiGe ,  2DEG ,  PD ,  ショット ,  キー ,  ゲート制御 ,  結合量子ドット ,  作製