文献

J-GLOBAL ID：201002266745483138   整理番号：10A1101915

エピタキシャルBi(M_1/2Ti_1/2)O₃-BiFeO₃薄膜(M=Zn,Mg)の強誘電性評価(II)

著者 (8件)： 安井伸太郎 (東京工大) ,  長田潤一 (東京工大) ,  山田智明 (東京工大) ,  内田寛 (上智大) ,  薮田久人 (キヤノン) ,  渡邉隆之 (キヤノン) ,  三浦薫 (キヤノン) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.15P-NJ-4  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  *酸化物 ,  亜鉛化合物 ,  マグネシウム化合物 ,  チタン化合物 ,  *固溶体 ,  *強誘電体 ,  MOCVD ,  エピタクシー ,  *誘電体薄膜 ,  優先配向 ,  ヒステリシス ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  周波数依存性 ,  *ビスマスフェライト
準シソーラス用語： *酸化鉄ビスマス ,  P-E特性

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (9件)： エピタキシャル ,  Bi ,  M1 ,  O3 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  Mg ,  強誘電性 ,  評価