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J-GLOBAL ID：201002267044535881   整理番号：10A0349579

Si基板上における(001)高配向性BiFeO₃薄膜の作製

著者 (4件)： 林真里 (上智大 理工) ,  内田寛 (上智大 理工) ,  安井伸太郎 (上智大 理工) ,  舟窪浩 (東京工大 物創)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集
巻： 2010  ページ： 270  発行年： 2010年03月22日 
JST資料番号： X0505A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  *薄膜 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  ランタン化合物 ,  硝酸塩 ,  溶液成長 ,  スピンコーティング ,  白金 ,  酸化チタン ,  多層膜 ,  エーテル ,  脂肪族アルコール ,  二酸化ケイ素 ,  硝酸ランタン ,  二酸化チタン ,  シリコンウエハ ,  *ビスマスフェライト
準シソーラス用語： シリカ ,  ケイ素基板 ,  化学溶液法 ,  *鉄酸ビスマス

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (2件)： 2-メトキシエタノール ,  トリス(2,2-ジメチルプロピルオキシ)ビスマス(III)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  配向性 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  作製