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J-GLOBAL ID：201002271513116736   整理番号：10A0565039

極薄(110)n型金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の<110>方向の電子移動度は<100>方向の電子移動度を超える

Superior 〈110〉-Directed Electron Mobility to 〈100〉-Directed Electron Mobility in Ultrathin Body (110) n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者 (3件)： SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 5,Issue 1  ページ： 051303.1-051303.3  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極めて薄いシリコン・オン・インシュレータ(SOI)を有する(110)n型金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)中の電子移動度の方向依存性を調べた。<110>方向の電子移動度は<100>方向のものを超えた。SOI厚が3.2nmでは<110>方向の電子移動度は<100>方向の電子移動度を超え,これは塊状n型MOSFETで観察された傾向とは逆であった。この現象の物理的起源は二重縮退バレーにおける非放物線性に起因し得る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  *指向性 ,  SOI構造 ,  縮退 ,  *電子移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (15件)：

• T. Sato, Y. Takeishi, and H. Hara: Jpn. J. Appl. Phys.8(1969)588.
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• T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka, Y. Moriyama, S. Nakaharai, and S. Takagi: IEEE Trans. Electron Devices 52(2005)367.
• K. Shimizu, T. Saraya, and T. Hiramoto: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 715.

タイトルに関連する用語 (5件)： 極 ,  金属酸化物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  MOSFET ,  電子移動度