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J-GLOBAL ID：201002272779840886   整理番号：10A0463302

水熱合成法を用いたエピタキシャルKNbO₃薄膜の方位制御

著者 (7件)： 榮西弘 (東京工大) ,  石河睦生 (東京工大) ,  中島光雅 (東京工大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  山田智明 (東京工大) ,  黒澤実 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.18A-TR-5  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *ニオブ酸カリウム ,  水熱合成 ,  エピタクシー ,  *薄膜成長 ,  基板 ,  チタン酸ストロンチウム ,  結晶方位 ,  角度依存性

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水熱合成法 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  方位制御