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J-GLOBAL ID：201002276028230603   整理番号：10A0029851

プラズマCVDによるカーボンナノチューブ成長メカニズムの解明

Carbon nanotube growth mechanism in plasma enhanced CVD

著者 (4件)： 野崎智洋 (東京工大 大学院) ,  唐津拓也 (東京工大 大学院) ,  吉田晋平 (東京工大) ,  岡崎健 (東京工大 大学院)
資料名： 日本機械学会熱工学コンファレンス講演論文集  (Proceedings of Thermal Engineering Conference)
巻： 2009  ページ： 93-94  発行年： 2009年11月06日 
JST資料番号： L0417A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 減圧プラズマCVDでは,イオン衝撃や活性種の過剰供給とは無関係に触媒が凝集しやすく,単層CNTの合成が難しい要因の一つになっていることを明らかにした。一方,マーカー成長などの方法で初期の触媒凝集を抑制すれば,減圧環境(5-20kPa)でも単層CNTを合成できることを実験で検証した。しかし,減圧環境では反応活性の高い化学種の過剰供給により,CNT先端部分は著しくダメージを受ける。(著者抄録)

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *プラズマCVD ,  LPCVD ,  *成長 ,  成長モード
準シソーラス用語： 減圧プラズマCVD ,  触媒作用 ,  マーカ ,  反応活性

分類 (1件)： 気相めっき  (WC08022K)

タイトルに関連する用語 (3件)： プラズマCVD ,  カーボンナノチューブ ,  成長メカニズム