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J-GLOBAL ID：201002284217075352   整理番号：10A0464941

原子スケールで平坦なSiO₂/Si界面極近傍における歪評価

著者 (13件)： 服部真季 (明治大 理工) ,  小瀬村大亮 (明治大 理工) ,  小瀬村大亮 (日本学術振興会) ,  武井宗久 (明治大 理工) ,  永田晃基 (明治大 理工) ,  赤松弘彬 (明治大 理工) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  諏訪智之 (東北大 未来科学技術共同研究セ) ,  寺本章伸 (東北大 未来科学技術共同研究セ) ,  服部健雄 (東北大 未来科学技術共同研究セ) ,  大見忠弘 (東北大 未来科学技術共同研究セ) ,  小金澤智之 (高輝度光科学研究セ) ,  廣沢一郎 (高輝度光科学研究セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.19P-P13-13  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *二酸化ケイ素 ,  *X線回折 ,  Raman分光法 ,  *MOS構造 ,  MOSFET ,  超小形回路技術 ,  格子歪 ,  界面 ,  表面構造 ,  プラズマ酸化 ,  圧縮歪 ,  引張歪 ,  *界面構造 ,  *シリコンウエハ ,  構造
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  ドライ酸化 ,  *平坦化

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子スケール ,  SiO2 ,  Si ,  界面 ,  近傍 ,  評価