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J-GLOBAL ID：201102208287461100   整理番号：11A0807160

格子整合InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における障壁内での電子蓄積を阻止するためのAl_0.44Ga_0.56Nスペーサ層

Al_0.44Ga_0.56N spacer layer to prevent electron accumulation inside barriers in lattice-matched InAlN/AlGaN/AlN/GaN heterostructures

著者 (6件)： AKAZAWA M. (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  GAO B. (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  HASHIZUME T. (Res. Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN) ,  HIROKI M. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  YAMAHATA S. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN) ,  SHIGEKAWA N. (NTT Photonics Laboratories, NTT Corp., Atsugi, Kanagawa 243-0198, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 14  ページ： 142117  発行年： 2011年04月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaNベーススペーサ層を有する格子整合InAlN/GaNヘテロ構造中の障壁構造を,有機金属気相エピタクシーで成長させて,容量-電圧(C-V)法によって調べた。正バイアス下での特性を調べるため,Al₂O₃被覆層を添加した。Al_0.38Ga_0.62N(5nm)/AlN(0.75nm)二重スペーサ層を有する試料のC-V特性は,正バイアス下での絶縁体キャパシタンスより遥かに小さい値で異常な飽和を示した。この結果は,InAlN/AlGaN界面での電子蓄積を示した。単一Al_0.44Ga_0.56N(1.5nm)スペーサ層を有する別の試料のC-V特性は,この異常飽和を示さなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *素子構造 ,  化合物半導体 ,  多層 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  インジウム化合物 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  格子整合 ,  スペーサ ,  被覆層 ,  酸化アルミニウム ,  MOCVD ,  エピタクシー ,  ポテンシャル障壁 ,  *容量電圧特性 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  *ヘテロ構造 ,  窒化インジウムアルミニウム ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： 窒化アルミニウムインジウム ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (11件)： 格子整合 ,  InAlN ,  AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  障壁 ,  電子 ,  蓄積 ,  阻止 ,  スペーサ層