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J-GLOBAL ID：201102212310475430   整理番号：11A0174681

a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ

Lateral Current Injection 1550nm Wavelength DFB Laser with a-Si Surface Grating

著者 (12件)： 進藤隆彦 (東京工大) ,  奥村忠嗣 (東京工大) ,  伊藤瞳 (東京工大) ,  小口貴之 (東京工大) ,  高橋大佑 (東京工大) ,  渥美裕樹 (東京工大) ,  KANG Joonhyun (東京工大) ,  長部亮 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ) ,  西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大 量子ナノエレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 353(LQE2010 114-128)  ページ： 17-22  発行年： 2010年12月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LSIの高速化に伴い,現在のグローバル配線層における遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念されており,その解決策の一つとしてグローバル配線層を光配線に代替することが有望視されている。半導体薄膜(membrane)レーザは高屈折率差による強い光閉じ込め効果により高いモード利得が得られることから極低しきい値での動作が期待されている。これまでに,我々は半導体薄膜レーザの電流動作化に向けて,横方向電流注入構造を導入し,横方向電流注入型FPレーザを半絶縁性InP基板上に試作してきた。今回,表面回折格子構造を用い横方向電流注入型DFBレーザの試作を行った。まず,ストライプ表面のGaInAsP層を直接エッチングすることで横方向電流注入構造としては初めての単一モードでの発振を確認し,更にa-Siを用いた表面回折格子を導入したDFBレーザを作製し,室温連続動作条件下でしきい値電流値7.0mA,外部微分量子効率43%の良好な発振特性を実現したのでご報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *回折格子 ,  *半導体薄膜 ,  *分布帰還形レーザ ,  *注入レーザ ,  横方向 ,  注入 ,  ヒ化リン化インジウムガリウム ,  エッチング ,  単一モード ,  レーザ発振 ,  量子効率
準シソーラス用語： 電流注入 ,  表面回折格子

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (22件)：

• KAPUR, P. Technology and reliability constrained future copper interconnects-Part I : Resistance modeling. Trans. on Electr. Dev. 2002, 49, 4, 590-597
• KAPUR, P. Technology and reliability constrained future copper interconnects.II. Performance implications. Trans. on Electr. Dev. 2002, 49, 4, 598-604
• LIST, S. A grobal view of interconnects. Microelectron. Eng. 2006, 83, 11-12, 2200-2207
• MILLER, D. A. B. Rationale and challenges for optical interconnects to electronic chips. Proc. IEEE. 2000, 88, 6, 728-749
• CHEN, G. Prediction of CMOS compatible on-chip optical interconnect. Integration, the VLSI journal. 2006, 40, 4, 434-446

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  回折格子 ,  波長帯 ,  横方向 ,  電流注入 ,  DFBレーザ