文献

J-GLOBAL ID：201102223403838640   整理番号：11A0789125

菱面体晶Pb(ZrTi)O₃エピタキシャル膜の結晶構造と強誘電特性

著者 (6件)： 江原祥隆 (東京工大 大学院) ,  宇津木覚 (東京工大 大学院) ,  中島光雅 (東京工大 大学院) ,  山田智明 (東京工大 大学院) ,  舟窪浩 (東京工大 大学院) ,  飯島高志 (産業技術総合研)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集
巻： 2011  ページ： 153  発行年： 2011年03月16日 
JST資料番号： X0505A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 酸化物 ,  鉛化合物 ,  ジルコニウム化合物 ,  チタン化合物 ,  三方晶系 ,  エピタクシー ,  *誘電体薄膜 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  基板 ,  チタン酸ストロンチウム ,  タンタル酸カリウム ,  フッ化カルシウム ,  スパッタリング ,  ストロンチウム化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  酸素酸塩 ,  *MOCVD ,  *結晶構造 ,  *強誘電性 ,  ルテニウム酸ストロンチウム
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】 ,  *エピタキシャル成長 ,  菱面体晶系

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 菱面体晶 ,  Pb ,  O3 ,  エピタキシャル膜 ,  結晶構造 ,  強誘電特性