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J-GLOBAL ID：201102240652805753   整理番号：11A1489999

ペロブスカイト界面層を利用したBiFeO₃薄膜の選択配向成長

著者 (6件)： 林真里 (上智大) ,  笹嶋慶一 (上智大) ,  峯村佳輝 (上智大) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  内田寛 (上智大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.31A-C-3  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *優先配向 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  ビスマス化合物 ,  鉄酸塩 ,  誘電体薄膜 ,  結晶度 ,  結晶方位 ,  X線回折 ,  残留分極 ,  抗電場 ,  *選択成長 ,  *溶液成長 ,  *強誘電性 ,  *ビスマスフェライト ,  分極ヒステリシス
準シソーラス用語： *鉄酸ビスマス ,  誘電ヒステリシス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： ペロブスカイト ,  界面層 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  選択配向 ,  成長