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J-GLOBAL ID：201102252815636669   整理番号：11A0795735

ハーフメタル酸化物Sr₂FeMoO₆薄膜における物性の膜厚依存性

著者 (5件)： 門田祥悟 (東京工大 応用セラミックス研) ,  安井伸太郎 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  松本祐司 (東京工大 応用セラミックス研) ,  笹川崇男 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.26P-BF-5  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *強磁性体 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *物理的性質 ,  *依存性 ,  ストロンチウム化合物 ,  鉄化合物 ,  モリブデン化合物 ,  スピン分極 ,  スピントロニクス ,  レーザ蒸着 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  抗力係数 ,  パルスレーザ蒸着 ,  酸化物薄膜 ,  *膜厚依存性 ,  *完全スピン偏極強磁性体
準シソーラス用語： *ハーフメタル ,  物性 ,  スピン偏極 ,  パルスレーザ堆積 ,  抵抗率

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： メタル酸化物 ,  薄膜 ,  物性 ,  膜厚依存性